收藏本站
型号 IPD26N06S2L-35
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
IPD26N06S2L-35 PDF
代理商 IPD26N06S2L-35
标准包装 2,500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 30A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 35 毫欧 @ 13A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 26µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 621pF @ 25V
功率 - 最大 68W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000252165
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPD30N03S2L-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD30N03S2L-10 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD30N03S2L-20 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD30N03S4L-09 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD30N03S4L-09 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD30N03S4L-09 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD30N03S4L-14 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD30N03S4L-14 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD30N03S4L-14 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD30N06S2-15 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
IPD30N06S2-23 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
IPD30N06S2L-13 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
IPD30N06S2L-23 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
IPD30N06S4L-23 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
IPD30N08S2-22 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
IPD30N08S2L-21 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
IPD30N10S3L-34 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
IPD30N10S3L-34 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
IPD30N10S3L-34 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
IPD320N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3